為滿足社會發(fā)展需求,現(xiàn)代工程建設(shè)的規(guī)模越來越大,并且為緩解土地資源壓力,出現(xiàn)了越來越多的深基坑項目。相比傳統(tǒng)工程基礎(chǔ)施工,深基坑施工對技術(shù)工藝的要求更為嚴格,需要應(yīng)用專門的方法手段進行處理,確保不會出現(xiàn)滲漏、坍塌等問題。其中止水帷幕是深基坑比較常用的一種技術(shù)方法,目前已經(jīng)積累了較多的經(jīng)驗,北京和光悅府即使用了基坑止水施工工藝。和光悅府項目位于北京市朝陽區(qū)崔各莊鄉(xiāng),北側(cè)南皋北路,東臨東營南路,西臨摩奇飲料廠東路,南臨南皋中街。和光悅府項目擬建規(guī)劃建設(shè)用地面積為41186.936㎡,地下總建筑面積為49945.03㎡。共11棟高層住宅樓、1座物業(yè)用房及1座商業(yè)服務(wù)、1座地下停車庫共2層。基坑開挖及支護深度最深10.78m,設(shè)計抗浮水位相對標(biāo)高為-4.7m。目前工程正在進行基坑支護及土方開挖階段。在深基坑工程施工中,地下水是影響深基坑工程安全順利開挖的一個重要影響因素。為保證基坑工程開挖處于“干”狀態(tài),減小因地下水的流失對周邊環(huán)境造成影響,確?;庸こ痰氖┕ぐ踩?,通常會采用降水和止水兩種方式。基坑降水是指在開挖基坑時,地下水位高于開挖底面,地下水會不斷滲入坑內(nèi),為保證基坑能在干燥條件下施工,防止邊坡失穩(wěn)、基礎(chǔ)流砂、坑底隆起、坑底管涌和地基承載力下降而做的降水工作。基坑降水除了會形成地下水漏斗區(qū),可能造成地面沉降外,還會引起其他一些環(huán)境影響,如各種井點降水等。而“止水”則不然,它不會使地下水位發(fā)生改變,而是在基坑外圍采取止水帷幕等技術(shù)措施,切斷基坑外的地下水流入基坑內(nèi)部。施工中通常在基坑外圍和基底垂直設(shè)置止水帷幕,以達到止水目的。目前止水帷幕常采用的施工方法有:高壓旋噴注漿法、地下連續(xù)墻法、動結(jié)法和靜壓注漿法。現(xiàn)北京等地區(qū)已禁止降水施工方法,未來趨勢也將廣泛推廣止水帷幕施工工藝。北京市和光悅府項目基坑止水施工工藝采取了高壓旋噴注漿的方法,現(xiàn)分享給大家,供大家借鑒參考。該項目地下水控制主要采取三軸水泥土攪拌樁/高壓旋噴樁止水帷幕結(jié)合疏干井/應(yīng)急井的止排水系統(tǒng)加以控制。三軸攪拌樁止水帷幕樁頂標(biāo)高26.00m,樁長8.00m,樁徑650mm,樁間距450mm,樁與樁之間互相咬合200mm。三軸攪拌樁施工工藝流程:樁機定位→第一次預(yù)攪下沉→配制水泥漿→第一次噴漿攪拌、提升→重復(fù)攪拌下沉→重復(fù)提升攪拌噴漿直至孔口→關(guān)閉攪拌機、清洗→移至下一根樁、重復(fù)以上工序。高壓旋噴樁止水帷幕樁頂標(biāo)高26.00m,樁長8.00m,樁徑1000mm,樁間距1400/1200mm,高壓旋噴樁與原有支護樁之間互相咬合200mm。旋噴樁施工工藝流程:場地平整→樁位放樣→修建排污和灰漿拌制系統(tǒng)→鉆機就位→引孔鉆進→拔出巖芯管、插入注漿管→旋噴提升→鉆機移位?;觾?nèi)布置疏干井,井間距約25m*25m,井管采用無砂混凝土管。基坑內(nèi)疏干井需隨土方開挖逐節(jié)摘除直至基底,后期再進行封閉處理。基坑外布置應(yīng)急井,井間距約12m,井管采用無砂混凝土管。疏干井和應(yīng)急井施工工藝流程:測量放線→定井位→挖泥漿池→挖探坑→鉆機就位→鉆孔→換漿→下井管→填濾料→粘土封井→洗井→下入潛水泵試抽水→鋪設(shè)排水總管及沉砂池→架設(shè)電纜→聯(lián)網(wǎng)抽水。